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IXTH50P10
IXTT50P10
-150
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
-125
-100
-75
-50
T J = - 40oC
25oC
125oC
35
30
25
20
15
T J = - 40oC
25oC
125oC
10
-25
0
5
0
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-20
-40
-60
-80
-100
V G S - Volts
I
D
- Amperes
-150
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
-10
Fig. 10. Gate Charge
-125
-100
-75
-9
-8
-7
-6
-5
-4
V DS = - 50V
I D = - 25A
I G = -1mA
-50
T J = 125oC
T J = 125oC
-3
-2
-25
-1
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
20
40
60
80
100
120
140
V S D - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
1000
100
Fig. 11. Capacitance
C rss
f = 1MHz
C iss
C oss
1.00
0.10
0.01
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
10
100
1000
V D
S
- Volts
Pulse Width - milliseconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_50P10(7B) 6-23-08-A
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